ტრანზისტორების ზომის შემცირებაზე უკვე მრავალი ათეული წელია მუშაობენ. ახლა კი ჩინელი მკვლევრები აცხადებენ, რომ მათ ყველაზე პატარა ზომის ტრანზისტორი შექმნეს.
ფიქრობენ, რომ ტრანზისტორების ზომის შემცირების საჭიროება 1950-იან წლებში პირველი ინტეგრირებული სქემების შექმნის შემდეგ, „მურის კანონს“ მოჰყვა. კანონის თანახმად, ტრანზისტორების რაოდენობა მიკროჩიპზე ყოველ ორ წელიწადში ორჯერ უნდა გაიზარდოს. თუმცა ბოლო პერიოდში ამ სფეროში პროგრესი შეფერხდა. ამის მიზეზად იმ საზღვართან მიახლოებას მიიჩნევენ, სადაც ყველაფერი თითქმის უკვე გაუმჯობესებულია.
ტრანზისტორების ზომის შემცირებისთვის გრაფენი და ნახშირბადის მსგავსი მასალები ძალიან მნიშვნელოვანია. ჩინელებმა ყველაზე პატარა ტრანზისტორი სწორედ ამ გზით შექმნეს. მასში არსებული ალუმინის ოქსიდი ელექტრული იზოლატორის მსგავსად მოქმედებს, გარდა ვერტიკალური კედლისა, სადაც გრაფენის ფურცელს მოლიბდენის დისულფიდთან შეხების უფლება აქვს. მთელი სტრუქტურა კი სილიციუმის დიოქსიდის სქელ ფენას ეყრდნობა.
მკვლევრებმა ისიც დაადგინეს, რომ ფუნქციური ტრანზისტორი ერთატომიანი თხელი მასალების გამოყენებით, ახალი პროცესის გამოგონების გარეშე კეთდება. მიღებული შედეგები კი უფრო სწრაფი და ენერგოეფექტური მოწყობილობების შექმნაში დაგვეხმარება.
